Một nữ sinh trung học tại Mỹ đã khiến gã khổng lồ Google phải để mắt sau khi cô giành giải thưởng 50.000 USD cho công trình nghiên cứu có thể giúp sạc điện thoại trong 20 giây.
Eesha Khare. |
Eesha Khare, 18 tuổi đến từ trường Trung học Lynbrook ở Saratoga, California, Mỹ đã chế tạo thành công thiết bị có tên gọi “siêu tụ điện” (supercapacitor), cho phép người dùng sạc pin cho điện thoại chỉ trong vòng 20 giây, và tuổi thọ lên đến 10.000 vòng sạc.
Công nghệ này được cô trình diễn tại Triển lãm Kỹ thuật và Khoa học quốc tế của Intel (ISEF) và Eesha Khare đã nhận giải thưởng 50.000 USD từ ISEF.
Cô tiết lộ trên CNN rằng, mình rất say mê hoá học nano. Eesha thực hiện công trình nghiên cứu này dựa trên việc tổng hợp các nanorod hydro hóa TiO2-Polyaniline cho siêu tụ dẻo có hiệu suất cao. Thiết bị này sẽ không chỉ giúp sạc siêu tốc với các smartphone mà nó còn có thể dùng cho xe điện, hệ thống LED,...
Eesha cho biết thêm rằng Google đã liên hệ với cô và bày tỏ mối quan tâm đến công nghệ siêu tụ này nhưng cô không cho biết chi tiết câu chuyện.
Cũng tại ISEF 2013, Đoàn Việt Nam đoạt 2 giải Tư thuộc lĩnh vực Điện và cơ khí; Vật liệu và Công nghệ Sinh học và được xếp trên cả Pháp, Argentina, ngang hàng với Hàn Quốc, Nam Phi…
Hải Phong(tổng hợp)